SK 海力士将投资 1060 亿美元在韩国建设芯片工厂，第四季度动工

时间:2021-04-14 14:43

IT之家4月2日消息据韩国媒体消息，芯片制造商 SK 海力士新建工厂的规划今日得到韩国政府批准，该工厂总投资额将达到 1060 亿美元，地点位于首尔南部约 50 公里的位置。

/>消息表示，SK 海力士此工厂总面积额将达到 415 万平方米，计划主要生产 DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度开工，2025 年建成投产。这一大型工厂将包含四个晶圆加工厂，每个月产量为 80 万片。<p align=

/>IT之家此前报道，SK 海力士近日表示，将在未来 10 年内开发 10nm 以下制程工艺的 DRAM 芯片，以及 600 层堆叠的 NAND 闪存。截至目前，该公司已经成功研发出 176 层堆叠的 3D NAND。新技术将引入新的电介质材料来保持均匀电荷，从而保持可靠性，减少漏电。相关阅读：SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下
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